收藏本站
Package Information
Vishay Siliconix
TSOP: 5/6?LEAD
JEDEC Part Number: MO-193C
e1
e1
5
4
E 1
E
6
5
4
E 1
E
1
2
3
1
2
3
-B-
-B-
e
b
0.15 M C B A
e
b
0.15 M C B A
5-LEAD TSOP
D
-A-
R
6-LEAD TSOP
4x 1
0.17 Ref
c
A 2 A
R
L 2
G au ge Pl a ne
0.0 8
C
-C-
A 1
S e a ting Pl a ne
4x 1
(L 1 )
L
S e a ting Pl a ne
MILLIMETERS
INCHES
Dim
A
A 1
A 2
b
c
D
E
E 1
Min
0.91
0.01
0.90
0.30
0.10
2.95
2.70
1.55
Nom
-
-
-
0.32
0.15
3.05
2. 8 5
1.65
Max
1.10
0.10
1.00
0.45
0.20
3.10
2.9 8
1.70
Min
0.036
0.0004
0.035
0.012
0.004
0.116
0.106
0.061
Nom
-
-
0.03 8
0.013
0.006
0.120
0.112
0.065
Max
0.043
0.004
0.039
0.01 8
0.00 8
0.122
0.117
0.067
e
0.95 B S C
0.0374 B S C
e 1
L
1. 8 0
0.32
1.90
-
2.00
0.50
0.071
0.012
0.075
-
0.079
0.020
L 1
L 2
0.60 Ref
0.25 B S C
0.024 Ref
0.010 B S C
R
0.10
0
-
4
-
8
0.004
0
-
4
-
8
1
7 Nom
7 Nom
ECN: C-06593-Rev. I, 1 8 -Dec-06
DWG: 5540
Document Number: 71200
18-Dec-06
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3483DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3495DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3529DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3812DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3853DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
SI3867DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
SI3905DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP
SI3909DV-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
相关代理商/技术参数
SI3475DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI3475DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3475DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3476DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V D-S TSOP-6
SI3477DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SI3477DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si3480-A01-GM 功能描述:热插拔功率分布 8-port Pwr Manager Si3452/3PSE Prt Ctrl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Controllers & Switches 电流限制: 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 0.3 V 工作温度范围: 功率耗散: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Tube
SI3480-A01-GMR 功能描述:电源开关 IC - POE / LAN 8-port Power Manager RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关数量:Single 开关配置:SPST 开启电阻（最大值）:7.3 Ohms 串话: 带宽: 开启时间（最大值）:13 ns 关闭时间（最大值）:20 ns 切换电压（最大）: 工作电源电压:8 V to 26 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220F-6